Transistor IGBT BSM300GA120DN2SE3256 module de commutation électronique

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Description de Transistor IGBT BSM300GA120DN2SE3256 module de commutation électronique

Module semi-conducteur de puissance à haute fréquence de commutation

Ce bloc autonome regroupe des puces de silicium interconnectées pour assurer la fonction de commutation de puissance. Destiné aux concepteurs de systèmes électriques et aux techniciens de maintenance, il offre une interface standardisée pour le contrôle des courants alternatifs et continus de forte intensité.

Architecture interne et transfert thermique

La conception intègre une semelle isolée thermiquement qui facilite le transfert des calories vers le radiateur principal. Cette architecture garantit que les jonctions internes restent dans leur plage de température de fonctionnement sécurisée, même lors de commutations répétées à haute fréquence.

Tableau des grandeurs électriques limites

SymboleDésignation du paramètreValeur maximale
VcesTension collecteur-émetteur maximale1200 V
IcCourant collecteur continu300 A
TvjTempérature de jonction en fonctionnement150 °C

Applications pratiques en milieu industriel

Ce type de boîtier se retrouve fréquemment dans les générateurs d'énergie renouvelable, notamment pour l'injection du courant des parcs éoliens ou des grands parcs solaires photovoltaïques dans le réseau de distribution électrique national. Sa fiabilité face aux variations climatiques et aux cycles thermiques en fait un choix de premier ordre pour les infrastructures critiques.

Détails

OPC s7_DB0H6PPXKBZ
Référence produit s7_DB0H6PPXKBZ
Marque
Prix 19,99 €
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5/5
J. Mclachlan
Publié le 14/10/2026
Vendu par EXTREME MOBILE LTD
Je suis ravi de mon achat, le produit est superbe.
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